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电子元器件详细资料 » IC[27646] » SI4564DY-T1-GE3
型号:SI4564DY-T1-GE3类别:FET - 阵列制造商:Vishay Siliconix
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)描述:MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8SOIC

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8SOIC
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型N 和 P 沟道
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)40V
电流_连续漏极(Id)0a025000C10A,9.2A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C17.5 毫欧 @ 8A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2222V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs31nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds855pF @ 20V
功率_最大3.1W,3.2W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SOIC N
包装剪切带 (CT)

供应商

深圳市鑫晟源电子科技有限公司赖0755-83538837
深圳市科恒伟业电子有限公司李小姐086-0755-82569753-32922817-36561078-801
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SI4564DY-T1-GE3相关型号

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