型号:SI4564DY-T1-GE3 | 类别:FET - 阵列 | 制造商:Vishay Siliconix |
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 描述:MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8SOIC |
详细参数
类别 | FET - 阵列 |
---|---|
描述 | MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8SOIC |
系列 | TrenchFET® |
制造商 | Vishay Siliconix |
FET型 | N 和 P 沟道 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 40V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 10A,9.2A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 17.5 毫欧 @ 8A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 2V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 31nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 855pF @ 20V |
功率_最大 | 3.1W,3.2W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-SOIC N |
包装 | 剪切带 (CT) |
供应商
深圳市鑫晟源电子科技有限公司 | 赖0755-83538837 |
深圳市科恒伟业电子有限公司 | 李小姐086-0755-82569753-32922817-36561078-801 |
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